SJ 20012-1992 半导体分立器件ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ４型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

作者:标准资料网时间:2024-05-14 08:59:57 浏览:8335 来源:标准资料网

基本信息

标准名称：	半导体分立器件ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ４型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
英文名称：	Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS4 GP,GT and GCT classes
中标分类：	综合 >> 标准化管理与一般规定 >> 技术管理
发布日期：	1992-02-01
实施日期：	1992-05-01
首发日期：	1900-01-01
作废日期：	1900-01-01
出版日期：	1900-01-01
页数：	11页

适用范围

本规范规定了CS4型硅N沟道蜡型场效应晶体e(以下简称器件)的详细要求，该种器件按GJB33-8585《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级）。级).

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所属分类：综合标准化管理与一般规定技术管理

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SJ 20012-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ４型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范